纳米实验用工作系统

来源: 发布时间:2002-01-01 放大 缩小

此组图是我公司于2002年为清华大学从台湾富士康进口的纳米实验用工作系统。该系统可在硅基底上制备氧化物、氮化物厚膜,在双频辅助下,可以大大提高沉积速率,达到每分钟25纳米。因此可用来制备微米及毫米厚度的绝缘层,其致密性,均匀性及附着性依然很好。此系统中还包含了一台复合机型,由离子偶合等离子体刻蚀及双频反应离子刻蚀机组成,目前国内尚无同类产品。这两种刻蚀方式的特点都是刻蚀速度快,可以达到每分钟刻蚀450纳米的速度。其中Helicon主要适合于刻蚀进行硅的深刻蚀,而DFR则适用于氧化硅和氮化硅的深刻蚀。利用Helicon-双频刻蚀系统,可以帮助制备一些三维的纳米结构,从而构筑更加丰富的纳米器件。这套系统可在硅基底上制备多种金属薄膜,薄膜厚度可以为几个纳米,利用此套系统在硅基底上沉积金属催化剂薄层,可被用来制备纳米材料。特别是蒸发镀膜系统制备的薄膜和蒸发源的方向相关,台阶陡直,后续的光刻过程可以直接采用驳离方法,无须刻蚀工艺。其中刻蚀机刻蚀速率慢,可以对刻蚀层的厚度进行精确控制,有利于对很薄(几纳米或几十纳米厚)的金属、光刻胶、氧化硅、氮化硅薄膜进行刻蚀,制备纳米器件所需的各种图形,开展纳米电子学的基础研究。

 

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